虽然这些实验过程给我们提供了试错经验，那那天但是失败的实验数据摆放在那里彷佛变得并无用处。

多年2014年作为中国大陆首位获奖人获得美国材料学会奖励MRSMid-CareerResearcherAward。个8月因2014年度中国科学院杰出科技成就奖。

文献链接：忘记为被https://doi.org/10.1021/acsnano.0c012983、忘记为被NanoLett:层状石墨烯用于定量分析锂离子电池介电层集电器的界面性能北京大学刘忠范院士和彭海琳教授等人证实了基于石墨烯设计的Al集电器/电解质界面处增强的防腐性能，石墨烯表层使商用铝箔用作LIB中的正极集电器时具有与电解质和电极材料几乎理想的界面。坦白地说，至今尽管其合成是在相对较低的温度下进行的，但目前其商业化的瓶颈在于合成效率低和成本高。曾任北京大学现代物理化学研究中心主任(1995–2002)，那那天物理化学研究所所长(2006–2014)，那那天北京市科委挂职副主任（2016–2017），北京市低维碳材料工程中心主任（2013–2018），国家攀登计划(B)、973计划和纳米重大研究计划项目首席科学家，国家自然科学基金表界面纳米工程学创新研究群体学术带头人(三期)等。

这项工作突出了界面设计在基于纳米流体膜的渗透能转换系统的构建中的重要性，多年证明了聚电解质凝胶作为高性能界面材料在非均相渗透发电领域的巨大前景。个8月因2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。

近期代表性成果：忘记为被1、忘记为被Angew：冷壁化学气相沉积方法用于石墨烯的超净生长北京大学刘忠范院士，彭海琳教授和曼彻斯特大学李林教授展示了一种在CW-CVD系统中大面积生长超洁净石墨烯薄膜的简便方法，该方法制备的石墨烯薄膜具有改善的光学和电学性质。

在超双亲/超双疏功能材料的制备、至今表征和性质研究等方面，至今发明了模板法、相分离法、自组装法、电纺丝法等多种有实用价值的超疏水性界面材料的制备方法。通过高角度环形暗场扫描电子显微镜和扩展X射线吸收精细结构，那那天确定了局域特征。

基于高质量的异质结，多年获得了显著的整流特性和偏振相关的光电二极管特性。图3.电催化性能[3]4.戴瑛MaterialsHorizons：个8月因发现二维材料中的自掺杂p-n结现象随着二维材料的出现，现在有可能在极限超薄尺度下实现p-n结。

更有趣的是，忘记为被由于自掺杂，所有这些系统的最外层都变成了金属，实现了自然的低电阻接触。双壳层Ni-FeLDH在碱性条件下的OER电催化活性显著增强，至今仅需246mV的过电位就能实现20mAcm-2的催化电流密度，Tafel斜率为71mVdec-1，同时具有很好的稳定性。